DIYMORE 40A 65A 100A ไม่ต้องใช้สายดิน, ไม่มีการจํากัดแรงดันไฟฟ้าHigh-Current Ideal Diode Module พร้อมการป้องกันการเชื่อมต่อ Backfeed และย้อนกลับสําหรับพลังงานแสงอาทิตย์

คุณสมบัติของ Features
1. รองรับการตั้งค่ากระแสสูงสามแบบ (40A, 65A, 100A) เพื่อตอบสนองความต้องการในการใช้งานของสถานการณ์พลังงานต่างๆ
2. การออกแบบที่ไร้ดินเพียงแค่เชื่อมต่อกับขั้วบวกเพื่อลดความซับซ้อนของระบบ
3. ข้อ จำกัด ของแรงดันไฟฟ้า เข้ากันได้กับแผงเซลล์แสงอาทิตย์กระแสหลักและชุดแบตเตอรี่
4. การไหลย้อนกลับและการป้องกันการเชื่อมต่อย้อนกลับเพื่อป้องกันวงจรจากความเสียหายของกระแสไฟฟ้าย้อนกลับ
5. การตอบสนองอย่างรวดเร็วต่อขั้วย้อนกลับภายใน 2 μs ทำให้มั่นใจได้ถึงปฏิกิริยาที่รวดเร็วมาก
6. คุณสมบัติความต้านทานภายในต่ำการสูญเสียพลังงานต่ำและประสิทธิภาพสูง
การใช้งานหลักของแอปพลิเคชันหลัก
1. การป้องกันการเชื่อมต่อย้อนกลับของแหล่งจ่ายไฟ: สำหรับระบบแบตเตอรี่รถยนต์อุตสาหกรรมและลิเธียมไอออนป้องกันความเสียหายของวงจรที่เกิดจากแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ
2. การนำทิศทางเดียวที่สูญเสียต่ำ: แทนที่ไดโอด Schottky (ซึ่งไม่สามารถใช้ในวงจรเรียงกระแสไฟฟ้า) ในแอปพลิเคชันกระแสสูงลดแรงดันไฟฟ้าและการสร้างความร้อนอย่างมีนัยสำคัญ
3. การป้องกันการไหลย้อนกลับและการทำงานแบบขนานหลายแหล่งจ่ายไฟ: เปิดใช้งานแหล่งจ่ายไฟซ้ำซ้อนป้องกันการไหลย้อนของกระแสและมีการใช้พลังงานสแตนด์บายเป็นศูนย์
พารามิเตอร์
จำนวน MOSFETs ในเวอร์ชัน 40A: 1
แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ: ≤40V
แรงดันไฟฟ้าอินพุตขั้นต่ำ: 1V
แรงดันไฟฟ้าอินพุตสูงสุด: แรงดันไฟฟ้าอินพุตสูงสุดไม่ จำกัด
กระแสไฟสูงสุด: 60A
การดำเนินงานปัจจุบัน: 40A
MOSFET บนความต้านทาน: ≈0.9 mΩ
เวลาตอบสนองการเปิด - ปิดย้อนกลับ: 2 μs
กระแสไฟรั่วย้อนกลับ: ≈110 μA
เวอร์ชัน 65A
จำนวน MOSFET: 2
แรงดันไฟฟ้าย้อนกลับแบบขนาน: ≤40V
กระแสไฟสูงสุด: 80A กระแสสูงสุด: 80A
กระแสไฟที่ใช้งาน: 65A
MOSFET บน - ต้านทาน: ≈0.45 mΩ
เวอร์ชัน 100A เวอร์ชัน 100A
จำนวน MOSFET: 4 ขนานกัน
กระแสไฟสูงสุด: 150A
กระแสไฟที่ใช้งาน: 100A
ความต้านทานต่อมอสเฟ็ต: ≈0.22 mΩ
ข้อควรระวัง:
1. อย่าให้กระแสไฟฟ้าสูงสุดในระหว่างการใช้งาน อนุญาตให้มีขอบ 20%
2. อย่าให้เกินแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับสูงสุดของโมดูล เมื่อพิจารณาจากเดือยแรงดันไฟฟ้าต้องอนุญาตให้มีขอบ 30%
3. โมดูลจะต้องไม่ใช้เป็นไดโอดล้ออิสระในวงจร AC
4. ตรวจสอบให้แน่ใจว่ามีการกระจายความร้อนที่เหมาะสมเพื่อป้องกันไม่ให้อุณหภูมิโมดูลเกิน 110°C; มิฉะนั้นไดรฟ์ MOSFET จะล้มเหลว สามารถติดแผ่นระบายความร้อนที่ด้านหลังของโมดูลเพื่อกระจายความร้อนและลดอุณหภูมิในการทำงาน
กระดาษโน้ตสำคัญสำหรับใช้งาน
ทั้งนี้ โมดูลนี้จะไม่มีขีดจำกัดแรงดันไปข้างหน้า แต่มันก็มีขีดจำกัดแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับ ตรวจสอบให้แน่ใจว่าแรงดันไฟฟ้าย้อนกลับยังคงต่ำกว่า 40 V.) เนื่องจากโมดูลทำงานโดยไม่ต้องมีการเชื่อมต่อกราวด์จึงมีข้อได้เปรียบที่ชัดเจนเกี่ยวกับโมดูลที่ต้องใช้สายดิน สามารถเชื่อมต่อซีรีส์เข้ากับวงจรได้โดยตรงเหมือนไดโอด ในขณะที่กระแสไฟฟ้าดับคือ 0 แต่ก็มีข้อเสียเช่นกัน หากแอปพลิเคชันของคุณไวต่อปัจจัยดังต่อไปนี้โมดูลนี้ไม่เหมาะสม:
1. ความไวต่อความผันผวนของแรงดันขาออก: ในระหว่างการใช้งานโมดูลจะประสบกับแรงดันไฟฟ้าชั่วคราวลดลงเกิน 0.3V; โดยทั่วไปเหล่านี้ไม่เกิน 0.7V สิ่งนี้เกิดขึ้นเป็นระยะเวลาสั้น ๆ - ประมาณ 2% ของเวลาทำงานทั้งหมด กล่าวอีกนัยหนึ่งสำหรับทุก ๆ 100 วินาทีของการดำเนินงานมีประมาณ 2 วินาทีในระหว่างที่แรงดันไฟฟ้าลดลงเกิน 0.3V แม้ว่าแต่ละกรณีของการตกครั้งสำคัญจะใช้เวลาน้อยกว่า 40 มิลลิวินาที
2. อุปกรณ์ที่ใช้งานที่มีกระแสไฟฟ้าน้อยกว่า 10 mA ที่มีความไวต่อความผันผวนของแรงดันไฟฟ้า (ไม่สามารถทนต่อความผันผวนของแรงดันไฟฟ้าได้ประมาณ 0.4 V แม้ว่าการวัดจริงจะแสดงความผันผวนประมาณ 0.3 V) วงจรป้องกันกระแสย้อนกลับจะไหลผ่านวงจรป้องกันกระแสย้อนกลับ ซึ่งหมายความว่าเมื่อคุณเชื่อมต่อพอร์ตเอาต์พุตเข้ากับแหล่งจ่ายไฟอินพุตคุณสามารถตรวจพบแรงดันไฟฟ้าที่พอร์ตอินพุตของโมดูล แต่กระแสไฟฟ้าไหลผ่านประมาณ 110 μA อุปกรณ์โหลดส่วนใหญ่สามารถดึงแรงดันไฟฟ้านี้ลงได้
3. อุปกรณ์ที่ใช้กระแสไฟต่ำมาก เช่น ไมโครคอนโทรลเลอร์ การเปลี่ยนไดโอดล้ออิสระในแหล่งจ่ายไฟแบบสลับ แต่สามารถนำมาใช้สำหรับการป้องกันกระแสย้อนกลับได้
แพคเกจรวมแพ็คเกจรวม
โมดูลไอเดียไดโอด * 1 (รุ่นที่คุณเลือก)