ของแท้ ชิพหน่วยความจํา IC W9825G6KH-6I TSOPII-54 256M-bits SDRAM

1.คำอธิบายทั่วไป
W9864g6kh เป็นหน่วยความจำการเข้าถึงแบบสุ่มแบบซิงโครนัสความเร็วสูง (SDRAM) จัดเป็นคำว่า as1M x 4 ธนาคาร x 16 bisW9864G6KH ให้แบนด์วิดท์ข้อมูลสูงสุด 20oM ต่อวินาทีสำหรับแอปพลิเคชันที่แตกต่างกัน w9864G6KH จะถูกจัดเรียงเป็นที่ราบ เกรดความเร็ว -5, -6, -6land -7.ชิ้นส่วนเกรด -5 สามารถทำงานได้ถึง 200MHzCL3ชิ้นส่วนเกรด -6 และ -6l สามารถทำงานได้ถึง 166MHzCL3 (เกรดอุตสาหกรรม -6l ซึ่งรับประกันว่าจะรองรับ -40°ซีซี ~ 85C) ชิ้นส่วนอะไหล่ -7 สามารถทำงานได้ถึง 143MHz / CL3 และด้วยการแตะ = 18nS
การเข้าถึง SDRAM จะระเบิดเน้น ตำแหน่งสมาชิกติดต่อกันในหน้าเดียวสามารถเข้าถึงได้ที่ความยาว 1,2,4,8 หรือเต็มหน้าเมื่อธนาคารและแถวถูกเลือกโดย ACTVEcommand.ที่อยู่คอลัมน์จะถูกสร้างโดยอัตโนมัติโดย SDRAM. เคาน์เตอร์ภายในใน burstoperation. คอลัมน์สุ่มสามารถอ่านที่อยู่ของตนได้ที่คอลัมน์สุ่ม โดยให้ที่อยู่ของตนในแต่ละรอบนาฬิกา
ธรรมชาติของธนาคารหลายแห่งมีการทำงานร่วมกันระหว่างธนาคารภายในเพื่อซ่อนเวลาในการชาร์จล่วงหน้าด้วยการลงทะเบียนโหมดที่ตั้งโปรแกรมได้ระบบสามารถเปลี่ยนความยาวของระเบิดรอบเวลาแฝงลำดับการเผาไหม้เพื่อเพิ่มประสิทธิภาพสูงสุด w9864GoKH เหมาะสำหรับสมาชิกหลัก แอพพลิเคชั่นประสิทธิภาพสูง
2. คุณสมบัติของฟีเจอร์ต่างๆ ได้แก่
แหล่งจ่ายไฟระดับความเร็ว 3.3V ± 0.3V สำหรับ -5, -6 และ -6l แหล่งจ่ายไฟระดับความเร็ว 2.7V ถึง 3.6V สำหรับแหล่งจ่ายไฟระดับความเร็ว 7 ระดับ
ความถี่นาฬิกา สูงสุด 200 MHz
1,048,576 คำ x 4 ธนาคาร x 16 บิตมาตรฐานการรีเฟรชตัวเองและเวลาแฝง PowerCAS ต่ำ: 2 และ 3
Burst ความยาวระเบิด: 1,2,4.8 และเต็มหน้า
ข้อมูล Byte ที่ควบคุมโดย LDQM, UDQMAuto-precharge และควบคุม PrechargBurst Read, โหมด Single Wries เดียวที่ควบคุมโดย LDQM, UDQMAuto-precharge และควบคุม PrechargBurst Read
รอบรีเฟรช 4K 4K / 64 ms
อินเทอร์เฟซ:.Lvitl
บรรจุใน TSOPll 54 พิน 400 มิลโดยใช้วัสดุปลอดสารตะกั่วกับ RoHS